产品简介
物理和化学特性
碲化锗，熔点：724℃。CAS登记号：12025-39-7。密度：6.14g/cm³，GeTe化合物具有优异的热电性能，用于制备相变存储单元，以及制备用于光刻的硫化物半导体掩模膜，其特征在于，所述硫化物半导体掩模的材料为碲化锗、碲化锗锑、银铟锑碲、碲化锑或锑.
应用
锗具有许多特殊性质，在半导体、航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医药等领域有着广泛而重要的应用，是一种重要的战略资源。 在电子工业、合金预处理、光学工业中，锗也可用作催化剂。高纯锗是一种半导体材料，由高纯氧化锗经还原后冶炼而成。掺杂少量特定杂质的锗单晶可用于制作各种晶体管.
| 碲化物系列 | |||
| 碲化镉（CdTe） | 碲化铅(PbTe) | 碲化锗（GeTe） | 碲化锗锑(GeSbTe) |
| 碲化铋(Bi2Te3) | 三碲化锑(Sb2Te3) | 三碲化锑 (Sb7Te3) | 碲化铟（InTe） |
