真空蒸发镀膜,简称蒸镀,是指在真空条件下,采用一定的加热蒸发方式蒸发镀膜材料(或称膜料)并使之气化,粒子飞至基片表面凝聚成膜的工艺方法。蒸镀是使用较早、用途较广泛的气相沉积技术,具有成膜方法简单、薄膜纯度和致密性高、膜结构和性能独特等优点。真空蒸镀所使用的材料我们称之为蒸发材料。
沉积材料蒸发或升华为气态粒子→气态粒子快速从蒸发源向基片表面输送→气态粒子附着在基片表面形核、长大成固体薄膜→薄膜原子重构或产生化学键合。
将基片放入真空室内,以电阻、电子束、激光等方法加热膜料,使膜料蒸发或升华,气化为具有一定能量(0.1~0.3eV)的粒子(原子、分子或原子团)。
气态粒子以基本无碰撞的直线运动飞速传送至基片,到达基片表面的粒子一部分被反射,另一部分吸附在基片上并发生表面扩散,沉积原子之间产生二维碰撞,形成簇团,有的可能在表面短时停留后又蒸发。
粒子簇团不断地与扩散粒子相碰撞,或吸附单粒子,或放出单粒子。此过程反复进行,当聚集的粒子数超过某一临界值时就变为稳定的核,再继续吸附扩散粒子而逐步长大,终通过相邻稳定核的接触、合并,形成连续薄膜。其工作方式如右图:
蒸发温度1000-2000 ° C的材料可用电阻加热作蒸发源. 加热器电阻通电后产生热量,产生热量使蒸发材料的分子或原子获得足够大的动能而蒸发。
1. 蒸发源一般为丝状(0.05-0.13cm),操作简单便捷,耗材价格便宜,更换方便。
2. 蒸发材料必须润湿加热丝,通过表面张力得到支撑,只能蒸发金属或合金,加热丝容易变脆。
3.常用的蒸发源材料有:W、Mo、Ta,耐高温的金属氧化物、陶瓷或石墨坩埚
电阻蒸发的缺点:支撑材料与蒸发物之间可能会发生反应;一般工作温度在1500~1900 ℃,难以实现更高蒸发温度,所以可蒸发材料受到限制;蒸发率低;加热速度不高,蒸发时待蒸发材料如为合金或化合物,则有可能分解或蒸发速率不同,造成薄膜成分偏离蒸发物材料成分。高温时,钽和金形成合金,铝、铁、镍、钴等与钨、钼、钽等形成合金,钨、钼与水或氧反应,形成挥发性的氧化物气体。
电子束通过5-10KV 的电场后被加速,然后聚焦到被蒸发的材料表面,把能量传递给待蒸发的材料使其熔化并蒸发。
1. 可以实现难熔物质的蒸发,以较大的功率密度实现快速蒸发,防止合金分离。
2. 可以同时安置多个坩埚,同时或分别蒸发多种不同物质;
3.无污染,大部分电子束蒸发系统采用磁聚焦或磁弯曲电子束,蒸发物质放在水冷坩埚内,与坩埚(坩埚水冷)接触的待蒸发材料保持固态不变,蒸发发生在材料表面, 有效抑制坩堝与蒸发材料之间的反应,蒸发材料与坩埚发生反应的可能性很小,适合制备高纯薄膜,可以制备光学、电子和光电子领域的薄膜材料,如Mo、Ta、Nb、MgF2、Ga2Te3、TiO2、Al2O3、SnO2、Si等;蒸发分子动能较大, 能得到比电阻加热更牢固致密的膜层。
电子束蒸发的缺点:可使蒸发气体和残余气体电离,有时会影响膜层质量;电子束蒸镀装置结构复杂,价格昂贵;产生的X射线对人体有一定的伤害。
激光作为热源,高能量的激光束透过真空室窗口, 对蒸发材料进行加热使其达到升华点,变成气体并沉积成膜。
1. 采用非接触式加热, 减少污染, 简化真空室, 适宜于超真空下制备纯洁薄膜;
2. 热源清洁,无来自加热体的污染;
3. 聚焦可获得高功率,可沉积陶瓷等高熔点材料以及复杂成分材料(瞬间蒸发);
4. 光束集中,激光装置可远距离放置,可安全沉积一些特殊材料薄膜(如高放射性材料);
5. 很高的蒸发速率,薄膜有很高的附着力。
激光蒸镀的缺点:膜厚控制困难; 可引起化合物过热分解和喷溅;激光蒸发设备费用比较高。
涵盖64种以上金属元素
支持多种元素定制各种合金
支持低纯度-超高纯度
可按要求定制不同的形状和尺寸